服务电话：
新闻中心
您当前的位置：首页 > 新闻中心
-
01
2026-01
星期 四
-
无锡8英寸管式炉生产厂家 赛瑞达智能电子装备供应
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的外延生长依赖高温管式炉。以SiC外延为例，需在1500°C–1600°C下通入硅源（如SiH₄）和碳源（如C₃H₈），管式炉的石墨加热器与碳化硅涂层石英管可耐受极端环境。关键挑战在
-
01
2026-01
星期 四
-
无锡赛瑞达管式炉哪家值得推荐 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉在硅外延生长中通过化学气相沉积（CVD）实现单晶层的可控生长，典型工艺参数为温度1100℃-1200℃、压力100-500Torr，硅源气体（SiH₄或SiCl₄）流量50-500sccm。外延层的晶体质量受衬底预处理、气体
-
01
2026-01
星期 四
-
无锡智能管式炉化学气相沉积 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉的工艺监控依赖多维度传感器数据：①温度监控采用S型热电偶（精度±0.5℃），配合PID算法实现温度稳定性±0.1℃；②气体流量监控使用质量流量计（MFC，精度±1%），并通过压力传感器（精度±0.1%）实时校正；③晶圆状态监
-
01
2026-01
星期 四
-
无锡制造管式炉 赛瑞达智能电子装备供应
对于半导体材料的退火处理，管式炉发挥着不可替代的作用。在半导体制造的过程中，离子注入会使硅片晶格产生损伤，影响器件性能。将注入后的硅片放入管式炉，在特定温度下进行退火。例如，对于一些先进制程的芯片，退火温度可能在1000℃左右。通
-
01
2026-01
星期 四
-
无锡8吋管式炉厂家供应 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉在半导体材料制备中占据不可替代的地位，从晶圆退火到外延生长均有深度应用。在8英寸晶圆的退火工艺中，设备需精确控制升温速率与保温时间，通过三级权限管理防止工艺参数误改，保障良品率稳定在99.95%以上。在碳化硅外延生长过程中，
推荐资讯