双束型聚焦离子束(Dual-beam FIB)
iST宜特科技建置八台业界特高阶的FEI Helios-660 Dual-beam FIB机台，具有具佳的影像质量与机台稳定性。采取三班制24小时运作，提供客户快速交期的高质量服务。
Dual-beam FIB机台能在以离子束切割样品时，同时用电子束对断面进行观察。宜特所建置的业界特高阶Helios-660机台，具备超高分辨率的离子束及电子束，能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束特大电流可达65nA，快速的切削速度能有效缩短取得数据的时间。
机台规格：
机型：FEI Helios NanoLab 660
样品XX大尺寸：150mm
配有150mm2 SDD EDS侦测器，可进行实时EDS分析。
配有MultiChem气体系统，可通入六种沉积或stain气体。
观测范围宽度超过100um，或深度超过50um时，建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB
主要应用：
半导体组件失效分析(能力可达14nm高阶制程)
半导体生产线制程异常分析
磊晶与薄膜结构分析
电位对比测试
透射电子显微镜试片制作
奈米级结构制作
关于宜特：
iST始创于1994年的台湾，主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海，全球现已有7座实验室12个服务据点，目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。
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